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首頁歐美晶振 Greenray晶振T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振

T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振

編號：76939943
頻率：20MHz
尺寸：5.0×3.2mm

Greenray晶振,T52石英晶體振蕩器,進口有源晶振,T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E晶振,頻率20MHz,5032mm晶振,電壓3.3V,工作溫度-20~70°C,低相位噪聲晶振,低功耗晶振,6G基站晶振,高沖擊電子設備晶振,移動無線電晶振,移動儀器...

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T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振,Greenray晶振,T52石英晶體振蕩器,進口有源晶振,T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E晶振,頻率20MHz,5032mm晶振,電壓3.3V,工作溫度-20~70°C,低相位噪聲晶振,低功耗晶振,6G基站晶振,高沖擊電子設備晶振,移動無線電晶振,移動儀器儀表晶振.
T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振特點：
•小巧堅固的5.0 x 3.2毫米封裝
•承受振動和高達30，000 g的高沖擊
•在20°C至+70°C溫度范圍內具有0.1 ppm的嚴格溫度穩定性
•卓越的長期老化性能，10年內< 5 ppm
•低加速靈敏度< 0.7 ppb/g
•低功耗，低至2mA，實現可靠的電池供電性能增益
•低相位噪聲

T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振參數表

規格參數	數值	條件
頻率	20MHz	+25°C
頻率穩定度	±0.1ppm	-20°C to +70°C
工作溫度	-20°C to +70°C
老化	± 3ppm max	1st year
加速度靈敏度	0.7ppb/g
電子頻率控制	± 8ppm	EFC = 0 to VDD Positive slope
電壓	3.3V(VDD）
輸入電流	6mA	CMOS
輸入電流	6mA	CMOS
負載	15pF
負載	15pF
儲存溫度	-40°C to +85°C

T52-N17-C-3.3-LG-20.0MHz-E,低相噪晶振,6G基站晶振 尺寸圖

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