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首頁進(jìn)口晶振 KDS晶振DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振

DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振

編號(hào)：30733615
頻率：32.768KHZ
尺寸：3.0*8.0mm

DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,...

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DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.

項(xiàng)目

型名

DT-38

DT-381

DT-26

DT-261

周波數(shù)範(fàn)囲

32.768kHz

20 ~ 90kHz

32.768kHz

28 ~ 90kHz

負(fù)荷容量

12.5pF (1)

勵(lì)振レベル

1.0μW（2.0μW max.）

周波數(shù)許容偏差

±12/±28PPM×10−6 （at 25℃）

直列抵抗

30kΩ max. (2)

40kΩ max. (2)

頂點(diǎn)溫度

＋25℃±5℃

二次溫度係數(shù)

−0.04×10−6/℃ 2 max.

動(dòng)作溫度範(fàn)囲

−10 ~＋60℃

保存溫度範(fàn)囲

−20 ~＋70℃

並列容量

1.3pF typ.

(2)

1.1pF typ.

(2)

DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，自1959年成立以來,我們?cè)诖笳婵?span style="font-size: 16px;">KDS晶振總是確保全球消費(fèi)者的信任通過提供產(chǎn)品滿足需要投身于更大的復(fù)雜性,在我們的“依賴”的三個(gè)哲學(xué):“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品,”和“可靠的公司.“作為一個(gè)全球石英設(shè)備制造商,我們努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便、更舒適,通過開發(fā)水晶設(shè)備對(duì)全球環(huán)境友好.

DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，基于我們的座右銘“高質(zhì)量的產(chǎn)品,合理的價(jià)格,準(zhǔn)時(shí)交貨,“我們建立了一種高效的生產(chǎn)系統(tǒng),以確保穩(wěn)定供應(yīng)水晶設(shè)備,同時(shí)保持高質(zhì)量.大真空的綜合生產(chǎn)系統(tǒng),從開發(fā)、切割和拋光的合成石英無源晶體成品——使我們能夠迅速滿足全球客戶的需求.我們將繼續(xù)支持下一代技術(shù)作為主要石英設(shè)備制造市場提供高滿意度的質(zhì)量、成本和交付.

DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，大真空KDS晶振針對(duì)進(jìn)口石英晶體產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價(jià)鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令（Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances）及車載相關(guān)管制的ELV（End of Life Vehicles Directive）中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準(zhǔn)備了RoHS/ELV指令對(duì)應(yīng)產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.

社會(huì)責(zé)任

大真空組有助于創(chuàng)建一個(gè)通過環(huán)境保護(hù)活動(dòng)逐步發(fā)展中社會(huì)與環(huán)境的和諧.

遵守法律和監(jiān)管要求

大真空觀察法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

＜石英晶體諧振器＞

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.

讓諧振器振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.

＜晶體振蕩器＞

晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮.

有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書.DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振.

注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.

如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路.

如果過大的激勵(lì)電力對(duì)晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)诰w濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.

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